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FF150R12KE3GB2HOSA1
Numéro de produit DigiKey	448-FF150R12KE3GB2HOSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	FF150R12KE3GB2HOSA1
Description	IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT Module À tranchées à champ limité Onduleur en demi-pont 1200 V 225 A 780 W Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT
Fabricant	Infineon Technologies
Série	C
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Type d'IGBT	À tranchées à champ limité
Configuration	Onduleur en demi-pont
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	225 A
Puissance - Max.	780 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,15V à 15V, 150A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	5 mA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce	11 nF @ 25 V
Entrée	Standard
Thermistance CTN	Non
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	Module
Numéro de produit de base	FF150R12K

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Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	83,34000 €	83,34 €
10	68,48600 €	684,86 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.