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Équivalent paramétrique

FP100R12KT4BOSA1

Infineon Technologies

En stock: 0

Prix unitaire : 106,76000 €

Fiche technique

Équivalent paramétrique

FP100R12KT4B11BOSA1

Rochester Electronics, LLC

En stock: 47

Prix unitaire : 109,90000 €

Fiche technique

Équivalent paramétrique

FS100R12KT4GB11BOSA1

Rochester Electronics, LLC

En stock: 12

Prix unitaire : 85,08000 €

Fiche technique

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FS100R12KT4GBOSA1
Numéro de produit DigiKey	FS100R12KT4GBOSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	FS100R12KT4GBOSA1
Description	IGBT MOD 1200V 100A 515W
Référence client
Description détaillée	IGBT Module À tranchées à champ limité Inverseur triphasé 1200 V 100 A 515 W Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT
Fabricant	Infineon Technologies
Série	EconoPACK™ 3
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type d'IGBT	À tranchées à champ limité
Configuration	Inverseur triphasé
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100 A
Puissance - Max.	515 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,2V à 15V, 100A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	1 mA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce	6.3 nF @ 25 V
Entrée	Standard
Thermistance CTN	Oui
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	Module
Numéro de produit de base	FS100R12

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Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	90,37000 €	90,37 €
10	75,44700 €	754,47 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.