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FS25R12W1T4BOMA1
Numéro de produit DigiKey	FS25R12W1T4BOMA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	FS25R12W1T4BOMA1
Description	IGBT MOD 1200V 45A 205W
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT Module À tranchées à champ limité Inverseur triphasé 1200 V 45 A 205 W Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FS25R12W1T4BOMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT
Fabricant	Infineon Technologies
Série	-
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Type d'IGBT	À tranchées à champ limité
Configuration	Inverseur triphasé
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	45 A
Puissance - Max.	205 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,25V à 15V, 25A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	1 mA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce	1.45 nF @ 25 V
Entrée	Standard
Thermistance CTN	Oui
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	Module
Numéro de produit de base	FS25R12

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Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	29,68000 €	29,68 €
24	20,00042 €	480,01 €
120	19,36650 €	2 323,98 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.