Name: IMZ120R090M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZ120R090M1HXKSA1-ND
Price: 9.348 EUR
Availability: OutOfStock

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IMZ120R090M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZ120R090M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZ120R090M1HXKSA1
Description	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMZ120R090M1HXKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	26 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	117mohms à 8,5A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,7V à 3,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	21 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	707 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	115W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-4-1
Boîtier	TO-247-4
Numéro de produit de base	IMZ120

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	7,79000 €	7,79 €
30	4,57967 €	137,39 €
120	3,87592 €	465,11 €
510	3,61508 €	1 843,69 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.