Name: IMZ120R220M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMZ120R220M1HXKSA1-ND
Price: 7.284 EUR
Availability: OutOfStock

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IMZ120R220M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IMZ120R220M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZ120R220M1HXKSA1
Description	SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 13 A (Tc) 75W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMZ120R220M1HXKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	220mohms à 4A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,7V à 1,6mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.5 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	289 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	75W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-4-1
Boîtier	TO-247-4
Numéro de produit de base	IMZ120

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,07000 €	6,07 €
30	3,45967 €	103,79 €
120	2,93025 €	351,63 €
510	2,59929 €	1 325,64 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.