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IPD26N06S2L35ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD26N06S2L35ATMA1
Description
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 30 A (Tc) 68W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
35mohms à 13A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 26µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
621 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
68W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Boîtier
Numéro de produit de base
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