Name: IPD26N06S2L35ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD26N06S2L35ATMA2TR-ND
Price: 0.96 EUR
Availability: OutOfStock

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IPD26N06S2L35ATMA2
Numéro de produit DigiKey	IPD26N06S2L35ATMA2TR-ND - Bande et bobine IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) IPD26N06S2L35ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD26N06S2L35ATMA2
Description	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	9 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 55 V 30 A (Tc) 68W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD26N06S2L35ATMA2 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	35mohms à 13A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 26µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	621 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3-11
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD26N06

Prix unitaire sans TVA:	0,80000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,96000 €

IPD26N06S2L35ATMA2