IRF7314TRPBF Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IRF7314TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7314PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7314PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7314PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7314TRPBF
Description	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 5,3A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7314TRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,3A
Rds On (max.) à Id, Vgs	58mohms à 2,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	700mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	29nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	780pF à 15V
Puissance - Max.	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	IRF731