Name: NTMD6P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD6P02R2GOSTR-ND
Price: 1.872 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMD6P02R2G
Numéro de produit DigiKey	NTMD6P02R2GOSTR-ND - Bande et bobine NTMD6P02R2GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTMD6P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMD6P02R2G
Description	MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 4,8A 750mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTMD6P02R2G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,8A
Rds On (max.) à Id, Vgs	33mohms à 6,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	35nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1700pF à 16V
Puissance - Max.	750mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	NTMD6