IRF8910TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IRF8910TRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRF8910PBFTR-ND - Bande et bobine
IRF8910PBFCT-ND - Bande coupée (CT)
IRF8910PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRF8910TRPBF
Description
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 20V 10A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF8910TRPBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10A
Rds On (max.) à Id, Vgs
13,4mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,55V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
960pF à 10V
Puissance - Max.
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.