Name: IXTA1R6N100D2-TRL
Brand: Littelfuse Inc.
SKU: 5656-IXTA1R6N100D2-TRLTR-ND
Price: 1.79641 EUR
Availability: OutOfStock

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IXTA1R6N100D2-TRL
Numéro de produit DigiKey	5656-IXTA1R6N100D2-TRLTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Littelfuse Inc.
Numéro de produit du fabricant	IXTA1R6N100D2-TRL
Description	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N, mode de déplétion 1000 V 1,6 A (Tj) 100W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Littelfuse Inc.
Série	Depletion
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N, mode de déplétion
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,6 A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	0V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10ohms à 800mA, 0V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	27 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	645 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IXTA1