
IXTA1R6N100D2 | |
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Numéro de produit DigiKey | IXTA1R6N100D2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTA1R6N100D2 |
Description | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 50 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N, mode de déplétion 1000 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface TO-263AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1000 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 10ohms à 800mA, 0V | |
Vgs(th) (max.) à Id | - | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 27 nC @ 5 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 645 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 100W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263AA | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 4,14000 € | 4,14 € |
50 | 2,14380 € | 107,19 € |
100 | 1,95070 € | 195,07 € |
500 | 1,61232 € | 806,16 € |
1 000 | 1,50366 € | 1 503,66 € |
2 000 | 1,49701 € | 2 994,02 € |
Prix unitaire sans TVA: | 4,14000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 4,96800 € |