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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXTY08N100D2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXTY08N100D2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTY08N100D2 |
Description | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 32 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N, mode de déplétion 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1000 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | - | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 21ohms à 400mA, 0V | |
Vgs(th) (max.) à Id | - | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 325 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 60W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-252AA | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,22000 € | 4,22 € |
| 70 | 2,08843 € | 146,19 € |
| 140 | 1,90786 € | 267,10 € |
| 560 | 1,62818 € | 911,78 € |
| 1 050 | 1,53525 € | 1 612,01 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 4,22000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 5,06400 € |
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France