Name: TP2104N3-G-P003
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-TP2104N3-G-P003TR-ND
Price: 0.912 EUR
Availability: InStock

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TP2104N3-G-P003
Numéro de produit DigiKey	150-TP2104N3-G-P003TR-ND - Bande et bobine 150-TP2104N3-G-P003CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	TP2104N3-G-P003
Description	MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	5 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 175mA (Tj) 740mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TP2104N3-G-P003 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	175mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 1mA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	60 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	740mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-92-3
Boîtier	TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
Numéro de produit de base	TP2104