Name: VP2206N3-G-P003
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-VP2206N3-G-P003TR-ND
Price: 2.748 EUR
Availability: InStock

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VP2206N3-G-P003
Numéro de produit DigiKey	150-VP2206N3-G-P003TR-ND - Bande et bobine 150-VP2206N3-G-P003CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	VP2206N3-G-P003
Description	MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	7 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 640mA (Tj) 740mW (Tc) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	VP2206N3-G-P003 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	640mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	900mohms à 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 10mA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	450 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	740mW (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-92-3
Boîtier	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches formées
Numéro de produit de base	VP2206