FDS6875 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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FDS6875
Numéro de produit DigiKey	FDS6875TR-ND - Bande et bobine FDS6875CT-ND - Bande coupée (CT) FDS6875DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS6875
Description	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 6A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6A
Rds On (max.) à Id, Vgs	30mohms à 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	31nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2250pF à 10V
Puissance - Max.	900mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	FDS68