FDY102PZ On Semi | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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FDY102PZ
Numéro de produit DigiKey	FDY102PZTR-ND - Bande et bobine FDY102PZCT-ND - Bande coupée (CT) FDY102PZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDY102PZ
Description	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 830mA (Ta) 625mW (Ta) Montage en surface SC-89-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDY102PZ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	830mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	500mohms à 830mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	135 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	625mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-89-3
Boîtier	SC-89, SOT-490
Numéro de produit de base	FDY102