Name: NTE4153NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTE4153NT1GOSTR-ND
Price: 0.42 EUR
Availability: OutOfStock

NTE4153NT1G est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : 0,54000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTE4153NT1G
Numéro de produit DigiKey	NTE4153NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTE4153NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTE4153NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTE4153NT1G
Description	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Montage en surface SC-89-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTE4153NT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	915mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	230mohms à 600mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.82 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	110 pF @ 16 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300mW (Tj)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-89-3
Boîtier	SC-89, SOT-490
Numéro de produit de base	NTE4153