Name: NTJD4105CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTJD4105CT1GOSTR-ND
Price: 0.408 EUR
Availability: OutOfStock

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NTJD4105CT1G
Numéro de produit DigiKey	NTJD4105CT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTJD4105CT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTJD4105CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTJD4105CT1G
Description	MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Montage en surface SC-88/SC70-6/SOT-363
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTJD4105CT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V, 8V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	630mA, 775mA
Rds On (max.) à Id, Vgs	375mohms à 630mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	46pF à 20V
Puissance - Max.	270mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur	SC-88/SC70-6/SOT-363
Numéro de produit de base	NTJD4105