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RJL6018DPK-00#T0

Numéro de produit DigiKey
RJL6018DPK-00#T0-ND
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant
RJL6018DPK-00#T0
Description
MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 27 A (Ta) 200W (Tc) Trou traversant TO-3P
Modèles EDA/CAO
RJL6018DPK-00#T0 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
27 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
265mohms à 13,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3830 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-3P
Boîtier
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
RJL6018
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