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2SAR572DGTL
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RND030N20TL

Numéro de produit DigiKey
846-RND030N20TLTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RND030N20TL
Description
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 3 A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Montage en surface CPT3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RND030N20TL Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
870mohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5,2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
270 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
CPT3
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
RND030
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Date de dernière disponibilité : 31/03/2027