Name: SCT10N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16597-5-ND
Price: 9.276 EUR
Availability: OutOfStock

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SCT10N120
Numéro de produit DigiKey	497-16597-5-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCT10N120
Description	SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 12 A (Tc) 150W (Tc) Trou traversant HiP247™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCT10N120 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	690mohms à 6A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	290 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	HiP247™
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SCT10

Prix unitaire sans TVA:	7,73000 €
Prix unitaire avec TVA:	9,27600 €

SCT10N120