Name: SGT120R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SGT120R65ALTR-ND
Price: 6.132 EUR
Availability: OutOfStock

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SGT120R65AL
Numéro de produit DigiKey	497-SGT120R65ALTR-ND - Bande et bobine 497-SGT120R65ALCT-ND - Bande coupée (CT) 497-SGT120R65ALDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SGT120R65AL
Description	650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 15 A (Tc) 192W (Tc) Montage en surface PowerFlat™ (5x6) HV
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V
Rds On (max.) à Id, Vgs	120mohms à 5A, 6V
Vgs(th) (max.) à Id	2,6V à 12mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3 nC @ 6 V
Vgs (max.)	+6V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	125 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	192W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerFlat™ (5x6) HV
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	SGT120