Name: STW65N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16127-5-ND
Price: 11.076 EUR
Availability: OutOfStock

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STW65N65DM2AG
Numéro de produit DigiKey	497-16127-5-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STW65N65DM2AG
Description	MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 60 A (Tc) 446W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STW65N65DM2AG Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	MDmesh™ DM2
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5500 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	446W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	STW65

Prix unitaire sans TVA:	9,23000 €
Prix unitaire avec TVA:	11,07600 €

STW65N65DM2AG