Name: TK10A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10A60WS4VX-ND
Price: 1.98 EUR
Availability: OutOfStock

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TK10A60W,S4VX
Numéro de produit DigiKey	TK10A60WS4VX-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK10A60W,S4VX
Description	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 9,7 A (Ta) 30W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK10A60W,S4VX Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	380mohms à 4,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	700 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK10A60

Prix unitaire sans TVA:	1,65000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,98000 €

TK10A60W,S4VX