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TK12A53D(STA4,Q,M)

Numéro de produit DigiKey
TK12A53D(STA4QM)-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK12A53D(STA4,Q,M)
Description
MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
32 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 525 V 12 A (Ta) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
π-MOSVII
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
525 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
580mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1350 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220SIS
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
TK12A53
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
12,75000 €2,75 €
501,37840 €68,92 €
1001,24520 €124,52 €
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Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:2,75000 €
Prix unitaire avec TVA:3,30000 €