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TK4P60DB(T6RSS-Q)

Numéro de produit DigiKey
TK4P60DB(T6RSS-Q)-ND - Bande et bobine
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK4P60DB(T6RSS-Q)
Description
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 3,7 A (Ta) 80W (Tc) Montage en surface DPAK
Modèles EDA/CAO
TK4P60DB(T6RSS-Q) Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
π-MOSVII
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2ohms à 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
540 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
DPAK
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
TK4P60
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