Name: TK4R3A06PL,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R3A06PLS4X-ND
Price: 2.04 EUR
Availability: OutOfStock

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TK4R3A06PL,S4X
Numéro de produit DigiKey	TK4R3A06PLS4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK4R3A06PL,S4X
Description	MOSFET N-CH 60V 68A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 68 A (Tc) 36W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK4R3A06PL,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	68 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,2mohms à 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	48.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3280 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	36W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK4R3A06

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,70000 €	1,70 €
50	0,83180 €	41,59 €
100	0,79750 €	79,75 €
500	0,56812 €	284,06 €
1 000	0,56263 €	562,63 €
2 000	0,54043 €	1 080,86 €
5 000	0,51451 €	2 572,55 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.