Name: TK4R3E06PL,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R3E06PLS1X-ND
Price: 2.112 EUR
Availability: OutOfStock

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TK4R3E06PL,S1X
Numéro de produit DigiKey	TK4R3E06PLS1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK4R3E06PL,S1X
Description	MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 80 A (Tc) 87W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK4R3E06PL,S1X Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,2mohms à 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	48.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3280 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	87W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	TK4R3E06

Prix unitaire sans TVA:	1,76000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,11200 €

TK4R3E06PL,S1X