Name: TPHR6503PL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR6503PL1LQTR-ND
Price: 2.448 EUR
Availability: OutOfStock

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TPHR6503PL1,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TPHR6503PL1LQTR-ND - Bande et bobine 264-TPHR6503PL1LQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPHR6503PL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPHR6503PL1,LQ
Description	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 150 A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Montage en surface 8-SOP Advance (5x5,75)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPHR6503PL1,LQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIX-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	150 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,65mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10000 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	960mW (Ta), 210W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOP Advance (5x5,75)
Boîtier	8-PowerTDFN