Name: SIDR392DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR392DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.336 EUR
Availability: InStock

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SIDR392DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIDR392DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIDR392DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIDR392DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIDR392DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 82 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8DC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIDR392DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen IV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	82 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,62mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	188 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+20V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9530 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	6,25W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8DC
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SIDR392