
IRFB9N65APBF | |
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Numéro de produit DigiKey | IRFB9N65APBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRFB9N65APBF |
Description | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 8,5 A (Tc) 167W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRFB9N65APBF Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 930mohms à 5,1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1417 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 167W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-220AB | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |