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SI2325DS-T1-BE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI2325DS-T1-BE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SI2325DS-T1-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI2325DS-T1-BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI2325DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI2325DS-T1-BE3 |
Description | P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 150 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 6V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 1,2ohms à 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 510 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 750mW (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) | |
Boîtier |
Obsolète
France