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SI3460BDV-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI3460BDV-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI3460BDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3460BDV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3460BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3460BDV-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 20 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 3,5W (Tc) Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 1,8V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 27mohms à 5,1A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 24 nC @ 8 V | |
Vgs (max.) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 860 pF @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2W (Ta), 3,5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
France