Name: SI3460DDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3460DDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.444 EUR
Availability: OutOfStock

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SI3460DDV-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI3460DDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3460DDV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3460DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI3460DDV-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 7,9 A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI3460DDV-T1-GE3 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	28mohms à 5,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	666 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	SI3460

Prix unitaire sans TVA:	0,37000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,44400 €

SI3460DDV-T1-GE3