
SI9933CDY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI9933CDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI9933CDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI9933CDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 4A 3,1W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI9933CDY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 20V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 4A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 58mohms à 4,8A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 26nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 665pF à 10V | |
Puissance - Max. | 3,1W | |
Température de fonctionnement | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 0,86000 € | 0,86 € |
10 | 0,53500 € | 5,35 € |
100 | 0,34340 € | 34,34 € |
500 | 0,26906 € | 134,53 € |
1 000 | 0,23675 € | 236,75 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2 500 | 0,20285 € | 507,12 € |
5 000 | 0,19783 € | 989,15 € |
7 500 | 0,18922 € | 1 419,15 € |
12 500 | 0,18192 € | 2 274,00 € |
17 500 | 0,17346 € | 3 035,55 € |
25 000 | 0,17186 € | 4 296,50 € |
Prix unitaire sans TVA: | 0,86000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,03200 € |