Name: SIA519EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA519EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.696 EUR
Availability: OutOfStock

SIA519EDJ-T1-GE3 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : 0,83000 €

Similaire

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : 1,07000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIA519EDJ-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIA519EDJ-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIA519EDJ-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIA519EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIA519EDJ-T1-GE3
Description	MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 4,5A 7,8W Montage en surface PowerPAK® SC-70-6 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIA519EDJ-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,5A
Rds On (max.) à Id, Vgs	40mohms à 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	350pF à 10V
Puissance - Max.	7,8W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	PowerPAK® SC-70-6 double
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SC-70-6 double
Numéro de produit de base	SIA519