Name: SIHA12N60E-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHA12N60E-E3-ND
Price: 2.868 EUR
Availability: OutOfStock

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SIHA12N60E-E3
Numéro de produit DigiKey	SIHA12N60E-E3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHA12N60E-E3
Description	MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	380mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	937 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	33W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	Boîtier complet TO-220
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	SIHA12

Prix unitaire sans TVA:	2,39000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,86800 €

SIHA12N60E-E3