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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
BSS138BK,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	29 800 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04368 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohms à 350mA, 10V	1,6V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	56 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	14 015 En stock	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04687 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	170mA	4,5V, 10V	3ohms à 500mA, 10V	1,6V à 250µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	974 765 En stock 717 000 Usine	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04935 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	600mA (Ta)	1,8V, 4,5V	900mohms à 430mA, 4,5V	1V à 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2120U-7 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	2 605 En stock 318 000 Usine	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05323 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	62mohms à 4,2A, 4,5V	1V à 250µA	6.3 nC @ 4.5 V	±8V	487 pF @ 20 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002W-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 Diodes Incorporated	3 000 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03681 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
RUM001L02T2CL MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	1 092 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 8 000 : 0,03155 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	100mA (Ta)	1,2V, 4,5V	3,5ohms à 100mA, 4,5V	1V à 100µA	-	±8V	7.1 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	VMT3	SOT-723
DMN2400UFB-7 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Diodes Incorporated	1 455 En stock 240 000 Usine	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05322 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	750mA (Ta)	1,8V, 4,5V	550mohms à 600mA, 4,5V	900mV à 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±12V	36 pF @ 16 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN2056U-7 MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 Diodes Incorporated	1 136 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05934 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4 A (Ta)	1,5V, 4,5V	38mohms à 3,6A, 4,5V	1V à 250µA	4.3 nC @ 4.5 V	±8V	339 pF @ 10 V	-	940mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6246TRPBF MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 Infineon Technologies	2 365 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07450 € Bande et bobine	HEXFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4,1 A (Ta)	2,5V, 4,5V	46mohms à 4,1A, 4,5V	1,1V à 5µA	3.5 nC @ 4.5 V	±12V	290 pF @ 16 V	-	1,3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2300UFB4-7B MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN Diodes Incorporated	10 000 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 10 000 : 0,04645 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	1,3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	175mohms à 300mA, 4,5V	950mV à 250µA	1.6 nC @ 4.5 V	±8V	64.3 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	X2-DFN1006-3	3-XFDFN
NTK3134NT1G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723 onsemi	2 169 En stock	1 : 0,45000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,09904 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	750mA (Ta)	1,5V, 4,5V	350mohms à 890mA, 4,5V	1,2V à 250µA	-	±6V	120 pF @ 16 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-723	SOT-723
MGSF1N02LT1G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 onsemi	3 500 En stock	1 : 0,46000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11505 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	750mA (Ta)	4,5V, 10V	90mohms à 1,2A, 10V	2,4V à 250µA	-	±20V	125 pF @ 5 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN10H220L-7 MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23 Diodes Incorporated	1 101 En stock	1 : 0,46000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10781 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	1,4 A (Ta)	4,5V, 10V	220mohms à 1,6A, 10V	2,5V à 250µA	8.3 nC @ 10 V	±16V	401 pF @ 25 V	-	1,3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2035U-7 MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3 Diodes Incorporated	2 382 En stock	1 : 0,47000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07399 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,6 A (Ta)	1,8V, 4,5V	35mohms à 4A, 4,5V	1V à 250µA	15.4 nC @ 4.5 V	±8V	1610 pF @ 10 V	-	810mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSD17310Q5A MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON Texas Instruments	0 En stock 210 429 Marketplace Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 0,40000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,32255 € Bande et bobine 618 : 0,45570 € En vrac	NexFET™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® En vrac	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	21 A (Ta), 100 A (Tc)	3V, 8V	5,1mohms à 20A, 8V	1,8V à 250µA	11.6 nC @ 4.5 V	+10V, -8V	1560 pF @ 15 V	-	3,1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD16301Q2 MOSFET N-CH 25V 5A 6SON Texas Instruments	998 328 En stock	1 : 0,50000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,17684 € Bande et bobine	NexFET™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	25 V	5 A (Tc)	3V, 8V	24mohms à 4A, 8V	1,55V à 250µA	2.8 nC @ 4.5 V	+10V, -8V	340 pF @ 12.5 V	-	2,3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-SON	6-SMD, sorties plates
AO3416 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	6 000 En stock	1 : 0,52000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09413 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	6,5 A (Ta)	1,8V, 4,5V	22mohms à 6,5A, 4,5V	1V à 250µA	16 nC @ 4.5 V	±8V	1160 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variable
PMPB13XNE,115 MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	2 096 En stock	1 : 0,52000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09466 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	16mohms à 8A, 4,5V	900mV à 250µA	36 nC @ 4.5 V	±12V	2195 pF @ 15 V	-	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	DFN2020MD-6	6-UDFN plot exposé
DMN2990UFA-7B MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN Diodes Incorporated	2 255 En stock	1 : 0,55000 € Bande coupée (CT) 10 000 : 0,10702 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	510mA (Ta)	1,2V, 4,5V	990mohms à 100mA, 4,5V	1V à 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±8V	27.6 pF @ 16 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	X2-DFN0806-3	3-XFDFN
FDN5618P MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 onsemi	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 0,47000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,13534 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	1,25 A (Ta)	4,5V, 10V	170mohms à 1,25A, 10V	3V à 250µA	13.8 nC @ 10 V	±20V	430 pF @ 30 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3414U-7 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	1 350 En stock	1 : 0,57000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12008 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4,2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	25mohms à 8,2A, 4,5V	900mV à 250µA	9.6 nC @ 4.5 V	±8V	829.9 pF @ 10 V	-	780mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Vishay Siliconix	1 127 En stock	1 : 0,60000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,11729 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,1 A (Tc)	2,5V, 4,5V	112mohms à 2,8A, 4,5V	1V à 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	860mW (Ta), 1,6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIA483DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Vishay Siliconix	14 475 En stock	1 : 0,50000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,17326 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	12 A (Tc)	4,5V, 10V	21mohms à 5A, 10V	2,2V à 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	1550 pF @ 15 V	-	3,5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PowerPAK® SC-70-6	PowerPAK® SC-70-6
AON7406 MOSFET N-CH 30V 9A/25A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	3 868 En stock	1 : 0,62000 € Bande coupée (CT) 5 000 : 0,10641 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	9 A (Ta), 25 A (Tc)	4,5V, 10V	17mohms à 9A, 10V	2,4V à 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	888 pF @ 15 V	-	3,1W (Ta), 15,5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN
ZXMN2B01FTA MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 Diodes Incorporated	1 769 En stock	1 : 0,63000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12884 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	2,1 A (Ta)	1,8V, 4,5V	100mohms à 2,4A, 4,5V	1V à 250µA	4.8 nC @ 4.5 V	±8V	370 pF @ 10 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

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