| Transistors - IGBT - Matrices | Distributeur de composants électroniques DigiKey

Affichage de

sur 20

Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type d'IGBT	Configuration	Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	Courant - Collecteur (Ic) (max.)	Puissance - Max.	Vce(on) (max.) à Vge, Ic	Courant - Résiduel de collecteur (max.)	Capacité d'entrée (Cies) à Vce	Entrée	Thermistance CTN	Température de fonctionnement	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
MMIX4G20N250 IGBT F BRIDGE 2500V 23A 24SMPD IXYS	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 91,19000 € Tube	-	Tube	Actif	-	pont complet	2500 V	23 A	100 W	3,1V à 15V, 20A	10 µA	1.19 nF @ 15 V	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 24-SMD, 9 sorties	24-SMPD
MMIX4B22N300 IGBT TRANS 3000V 38A IXYS	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 83,80000 € Tube	BIMOSFET™	Tube	Actif	-	pont complet	3000 V	38 A	150 W	2,7V à 15V, 22A	35 µA	2.2 nF @ 25 V	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 24-SMD, 9 sorties	24-SMPD
MMIX4B20N300 IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD IXYS	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 105,03000 € Tube	BIMOSFET™	Tube	Actif	-	pont complet	3000 V	34 A	150 W	3,2V à 15V, 20A	-	-	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 24-SMD, 9 sorties	24-SMPD
STGSH50M120D TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, STMicroelectronics	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 16,78000 € Bande coupée (CT) 200 : 9,41845 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	-	Demi- pont	1200 V	69 A	536 W	2,3V à 15V, 50A	25 µA	3152 pF @ 25 V	Standard	Non	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montage en surface	9-PowerSMD	9-ACEPACK SMIT
FII30-06D IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5 IXYS	0 En stock	25 : 5,47840 € Tube	-	Tube	Obsolète	NPT	Demi- pont	600 V	30 A	100 W	2,4V à 15V, 20A	600 µA	1.1 nF @ 25 V	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Trou traversant	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII40-06D IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5 IXYS	0 En stock	25 : 6,01440 € En vrac	-	En vrac	Obsolète	NPT	Demi- pont	600 V	40 A	125 W	2,2V à 15V, 25A	600 µA	1.6 nF @ 25 V	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Trou traversant	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 En stock	Actif	-	Boîte	Actif	NPT	Demi- pont	1700 V	18 A	140 W	6V à 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Trou traversant	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1S IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 En stock	Actif	-	Boîte	Actif	NPT	Demi- pont	1700 V	18 A	140 W	6V à 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Non	-	Trou traversant	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII30-12E IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 IXYS	0 En stock	Obsolète	-	Tube	Obsolète	NPT	Demi- pont	1200 V	33 A	150 W	2,9V à 15V, 20A	200 µA	1.2 nF @ 25 V	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Trou traversant	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII50-12E IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5 IXYS	0 En stock	Obsolète	-	Tube	Obsolète	NPT	Demi- pont	1200 V	50 A	200 W	2,6V à 15V, 30A	400 µA	2 nF @ 25 V	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Trou traversant	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
IXA20PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD IXYS	0 En stock	Obsolète	-	Tube	Obsolète	PT	Demi- pont	1200 V	32 A	130 W	2,1V à 15V, 15A	125 µA	-	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA20PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD IXYS	0 En stock	Obsolète	-	Bande et bobine	Obsolète	PT	Demi- pont	1200 V	32 A	130 W	2,1V à 15V, 15A	125 µA	-	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD IXYS	0 En stock	Obsolète	-	Tube	Obsolète	PT	Demi- pont	1200 V	43 A	150 W	2,2V à 15V, 25A	2.1 mA	-	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD IXYS	0 En stock	Obsolète	-	Bande et bobine	Obsolète	PT	Demi- pont	1200 V	43 A	150 W	2,2V à 15V, 25A	2.1 mA	-	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 En stock	Obsolète	-	Tube	Obsolète	PT	Demi- pont	1200 V	63 A	230 W	2,15V à 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 En stock	Obsolète	-	Bande et bobine	Obsolète	PT	Demi- pont	1200 V	63 A	230 W	2,15V à 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 En stock	Obsolète	ISOPLUS™	Tube	Obsolète	PT	Demi- pont	1200 V	63 A	230 W	2,15V à 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 En stock	Obsolète	ISOPLUS™	Bande et bobine	Obsolète	PT	Demi- pont	1200 V	63 A	230 W	2,15V à 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montage en surface	Module 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
FII24N170AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 En stock	Obsolète	-	Tube	Obsolète	NPT	Demi- pont	1700 V	18 A	140 W	6V à 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Non	-55°C ~ 150°C (TJ)	Trou traversant	i4-Pac™-4, isolé	ISOPLUS i4-PAC™
AOMU66464Q AOMU66464Q Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 En stock	Obsolète	-	En vrac	Obsolète	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Affichage de

sur 20

Transistors - IGBT - Matrices

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont des dispositifs de puissance à semi-conducteurs à trois bornes, à commutation rapide et haut rendement principalement utilisés comme commutateurs électroniques. Ils sont utilisés dans les alimentations à découpage dans les applications haute puissance, telles que les variateurs de fréquence (VFD), les voitures électriques, les trains, les ballasts d'éclairage, les climatiseurs et les amplificateurs de commutation (systèmes audio et systèmes de contrôle industriel). Les matrices IGBT incluent plusieurs dispositifs dans un seul boîtier, dans des configurations en demi-pont ou en pont complet.