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R6007KNX
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En stock: 0
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TO-220-3
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TO-220-3
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6007KNX

Numéro de produit DigiKey
846-R6007KNX-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
R6007KNX
Description
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 7 A (Tc) 46W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
R6007KNX Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
620mohms à 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
470 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
46W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220FM
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
R6007
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Non annulable/Non remboursable
Quantité
Tous les prix sont en EUR
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
5000,85166 €425,83 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,85166 €
Prix unitaire avec TVA:1,02199 €