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TK9A60D(STA4,Q,M)

Numéro de produit DigiKey
TK9A60D(STA4QM)-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK9A60D(STA4,Q,M)
Description
MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
32 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 9 A (Ta) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TK9A60D(STA4,Q,M) Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
π-MOSVII
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
830mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1200 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220SIS
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
TK9A60
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
12,29000 €2,29 €
501,13300 €56,65 €
1001,02010 €102,01 €
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Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:2,29000 €
Prix unitaire avec TVA:2,74800 €